研究目的
研究强限制条件下过渡金属离子掺杂对CdSe/ZnSe量子点中电子自旋弛豫时间的影响。
研究成果
将过渡金属离子掺入半导体量子点中，可在低磁场低温条件下延长自旋弛豫时间，使其适用于量子信息处理和自旋电子学应用。
研究不足
该研究仅限于低温环境（T < 50 K）和小磁场强度（B < 2T）。该理论模型可能无法解释量子点中所有的实际变化和相互作用。
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过渡金属离子掺杂对CdSe/ZnSe量子点中电子自旋弛豫时间的影响
DOI：10.1016/j.matpr.2020.01.387
期刊：Materials Today: Proceedings
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
在强限制条件下，采用k·p微扰理论和包络函数近似方法，通过声子介导的弛豫过程，计算了过渡金属掺杂II-VI族半导体量子点中传导电子的自旋弛豫时间（SRT）。该计算考虑了Mn掺杂CdSe/ZnSe量子点中由磁性杂质掺杂和施加磁场引起的塞曼子能级跃迁。研究证实，在Cd1-xMnxSe/ZnSe量子点中会出现中等低磁场下的自旋极化翻转现象。结果表明：在小磁?。˙<2T）和极低温（T<50K）条件下，较高掺杂浓度会使自旋弛豫时间显著延长。这些发现有助于证明此类小尺寸量子点可作为不同自旋电子纳米器件中的有效极化开关。
作者：
Shivani Rana，Saikat Chattopadhyay
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