研究目的
研究悬浮InAs纳米线中自旋-轨道相互作用的矢量控制，以理解其本质和取向，这对于自旋电子学应用和拓扑量子计算至关重要。
研究成果
该研究表明悬浮InAs纳米线中本征自旋轨道相互作用的各向同性，以及通过外电场对其进行矢量调控的能力。这些发现与经过几何约束修正、适用于该纳米结构的半经典准一维WAL模型相符。该结果为悬浮纳米线的本征特性提供了重要见解，并对自旋电子学及混合半导体器件中马约拉纳束缚态的操控具有启示意义。
研究不足
该研究的局限性在于用于拟合WAL数据的简化模型假设自旋弛豫长度lSO各向同性，且未考虑磁场的任何角度依赖性。此外，纳米线的几何约束及外部环境噪声可能影响测量的准确性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用过滤稀释制冷机进行磁输运测量，温度低至50毫开尔文，使用标准四线锁相技术。通过准直流电流激励防止电子加热效应，同时利用三轴矢量磁体研究弱反局域化（WAL）随磁场取向的变化关系。
2：样品选择与数据来源：
使用悬挂式n型InAs纳米线，配备两侧栅极电极、全局背栅和四个欧姆接触。纳米线通过金辅助化学束外延法在InAs(111)衬底上生长。
3：实验设备与材料清单：
过滤稀释制冷机、标准四线锁相技术装置、三轴矢量磁体，以及用于制备欧姆接触的电子束光刻和铬/金蒸发工艺。
4：实验流程与操作步骤：
通过准直流电流激励和三轴矢量磁体进行磁输运测量，研究弱反局域化随磁场取向的变化。信号在1秒时间窗口内积分以获得有效平均电阻值。
5：数据分析方法：
研究电导修正并与无序体系的准一维理论对比，提取自旋和相位弛豫长度。
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