研究目的
采用近似法测定AgSiN薄膜的晶粒尺寸和微应变值，以替代Williamson-Hall（W-H）图法和Warren-Averbach分析等其他测定方法。
研究成果
XRD近似法被证明是测定薄膜晶粒尺寸和微应变值的有效方法。该方法获得的晶粒尺寸值与谢乐公式及Williamson-Hall法结果高度吻合。薄膜微应变计算所得残余应力与划痕附着临界载荷具有良好相关性。
研究不足
该研究聚焦于AgSiN薄膜的晶粒尺寸与微应变特性，其在抗菌涂层领域具有潜在应用价值。本文未讨论AgSiN薄膜的抗菌性能及其他特性。
1：实验设计与方法选择：
采用磁控溅射技术在Ti6Al4V合金上制备不同偏压下的单层AgSiN薄膜。通过X射线衍射（XRD）宽化谱结合近似法测定晶粒尺寸与微应变值。
2：样品选择与数据来源：
以Ti-6Al-4V合金为基底，经接地抛光至镜面光洁度。
3：实验设备与材料清单：
磁控溅射机（TF 450 Sputtering System，SG Control Engineering，新加坡）、银靶材（纯度99.99%）、硅靶材（纯度99.99%）、高纯氮气。
4：99%）、硅靶材（纯度99%）、高纯氮气。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：基底经超声清洗、蒸馏水冲洗后，用氮气吹干机干燥。通过物理气相沉积磁控溅射机在基底上沉积AgSiN薄膜。
5：数据分析方法：
XRD宽化谱分析、扫描电子显微镜（SEM）形貌与成分分析、划痕测试评估附着力与厚度。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Magnetron sputtering machine
TF 450 Sputtering System
SG Control Engineering
Used for depositing AgSiN thin films on Ti6Al4V alloy substrates.
-
Silver target
Used as a source material for silver in the sputtering process.
-
Silicon target
Used as a source material for silicon in the sputtering process.
-
Pure nitrogen gas
Used as a reactive gas in the sputtering process.
-
登录查看剩余2件设备及参数对照表
查看全部
