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掺钕BaSnO<sub>3</sub>透明薄膜具有优异的结构、光学和电学性能

DOI:10.1063/1.5063538 期刊:Applied Physics Letters 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:21:01
摘要: 我们在双面抛光的SrTiO3(001)单晶衬底上外延生长了7摩尔%掺钕BaSnO3(NBSO)薄膜,并通过优化氧压(PO2)、衬底温度(TS)和薄膜厚度(t)实现了优异的结构、光学和电学性能。当保持TS(800°C)恒定时,PO2为10Pa条件下制备的NBSO薄膜结晶质量最佳,其X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.079°,室温电阻率(q)为1.85mΩ·cm,体积载流子浓度(n)为8.5×102?/cm3。当保持PO2(10Pa)恒定时,通过将TS从700°C升至825°C,NBSO薄膜的室温电阻率可降至0.5mΩ·cm;此时在TS=825°C时体积载流子浓度和迁移率分别达到最大值5.04×102?/cm3和24.9cm2/V·s。所有原位生长的NBSO薄膜在可见光波段的光学透过率均超过80%。综合性能最优的NBSO薄膜(FWHM=0.11°,q=0.5mΩ·cm,l=24.9cm2/V·s,T>80%)各项指标均优于其他稀土及4d/5d过渡金属掺杂BaSnO3薄膜。
作者: Fang-Yuan Fan,Wei-Yao Zhao,Ting-Wei Chen,Jian-Min Yan,Jin-Peng Ma,Lei Guo,Guan-Yin Gao,Fei-Fei Wang,Ren-Kui Zheng
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研究概述 实验方案 设备清单

研究掺钕BaSnO3透明薄膜的结构、光学和电学特性,以探索其在光电器件中的潜在应用。

该研究成功优化了掺钕BaSnO3薄膜的生长参数,获得了优异的结构、光学和电学性能。与其它掺杂BaSnO3薄膜相比,这些薄膜表现出更卓越的性能,使其成为光电器件中透明导电应用的理想候选材料。

该研究聚焦于掺钕BaSnO3薄膜生长参数的优化,但未探究其长期稳定性或工业应用的可扩展性。

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