研究目的
研究基于NbOx的选择器器件中阈值切换特性的温度依赖性以提高热稳定性。
研究成果
研究表明，提高温度会降低基于NbOx的选通器件的肖特基势垒和高阻态电阻，从而使阈值电压分布更窄并提升热稳定性。这为增强交叉阵列应用中选通器件的性能提供了有前景的方向。
研究不足
该研究仅限于分析不同温度下基于NbOx的选择器器件，器件制造和材料特性方面存在进一步优化以提高热稳定性的潜在领域。
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基于NbO?薄膜的绝缘体-金属转变选择器中温度效应的研究
DOI：10.1109/TED.2018.2873638
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
本文采用基于绝缘体-金属转变（IMT）效应而被视为具有应用前景的NbOx材料作为器件开关层，全面研究了其阈值转变特性，尤其关注温度依赖性。通过拟合验证发现高阻态（HRS）的导电机制为肖特基发射，且拟合结果表明：随着温度升高，肖特基势垒降低导致HRS电阻减小。根据傅里叶热传导定律，工作温度升高时温度波动范围缩小，使得阈值电压分布更窄。此外，升温会提高电子能量，使其更易诱发IMT，从而导致阈值电压降低。本研究为提升目标器件的热稳定性提供了可行方案。
作者：
Ao Chen，Guokun Ma，Yuli He，Qin Chen，Chunlei Liu，Hao Wang，Ting-Chang Chang
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