研究目的
通过实验和理论评估退火工艺前后含缺陷层一维光子晶体（PC）的光学特性。
研究成果
研究表明，通过热退火处理可显著改变含缺陷层的TeOx/SiO2一维光子晶体的光学特性，导致反射光谱向长波方向移动并减小光子带隙宽度。该发现为需要可调谐光学特性的光子器件应用提供了潜在可能。
研究不足
该研究仅限于评估具有特定缺陷层的一维光子晶体的光学特性，未探讨其他结构参数或材料变化的影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用高折射率（TeOx）和低折射率（SiO2）材料通过溅射技术制备含缺陷层的一维光子晶体，退火处理前后评估其光学特性。
2：样本选择与数据来源：
制备并表征单层TeOx与SiO2薄膜，一维光子晶体构建于p型硅（100）晶圆及熔融石英基底。
3：实验设备与材料清单：
射频磁控溅射系统、X射线光电子能谱仪（XPS）、能量色散X射线光谱仪（EDX）、X射线衍射仪（XRD）、紫外-可见-近红外分光光度计（UV-VIS-NIR）、扫描电镜（SEM）、场发射扫描电镜（FE-SEM）。
4：实验流程与操作步骤：
薄膜于室温沉积，在氮气氛围200°C退火，通过多种技术表征其光学与结构特性。
5：数据分析方法：
基于透射光谱包络法测定光学常数，反射光谱与传输矩阵法（TMM）模拟结果进行对比。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
X-Ray Diffraction
PANalytical, X'Pert PRO
PANalytical
Used for structurally characterizing the TeOx single layer.
-
Scanning electron microscopy
Hitachi, S-4700
Hitachi
Used for measuring the surface quality of the TeOx single layer.
-
Field emission scanning electron microscopy
JEEOL, JSM-7500F
JEEOL
Used for verifying the microstructure, periodicity and thickness of the 1D PC.
-
RF magnetron sputtering system
Used for fabricating the 1D PC with a defect layer.
-
X-ray photoelectron spectroscopy
VG, Multilab-2000
VG
Used for characterizing the binding energy of the TeOx single layer.
-
Energy dispersive X-ray spectroscopy
Horiba, EX-200
Horiba
Used for characterizing the composition of the TeOx single layer.
-
Ultraviolet visible near-infrared spectrophotometer
Varian, Cary-500
Varian
Used for measuring the transmittance and reflectance spectra.
-
登录查看剩余5件设备及参数对照表
查看全部
