研究目的
阐明溅射-退火工艺诱导的SrTiO3(100)衬底的电子结构特征，并分析其洁净度及电子结构变化。
研究成果
溅射退火工艺会引起STO衬底电子结构的显著变化，包括形成Ti3+态和表面二维电子系统。该工艺还能通过减少碳污染来提高表面洁净度。
研究不足
该研究聚焦于STO衬底的表面表征，未探究体材料特性或不同溅射与退火条件的影响。
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利用X射线光电子能谱对清洁SrTiO?(100)衬底进行表面表征
DOI：10.1116/1.5041734
期刊：Surface Science Spectra
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
作者通过分析SrTiO3(100)（STO）衬底的X射线光电子能谱，阐明了溅射-退火工艺诱导的电子结构特征。研究测量了原始STO、经溅射和退火处理STO的广谱、价带谱以及相关核心能级谱（包括Sr 3s、Sr 3p、Sr 3d、Sr 4s、Sr 4p、Ti 2p、Ti 3s、Ti 3p、O 1s、O 2s及其伴峰结构）。谱图对比显示，溅射退火后STO的Ti 2p谱中出现新特征峰，对应Ti3+态和费米能级附近的间隙态。Ti3+态的存在表明，氩离子溅射结合真空退火在STO表面形成了二维电子系统。此外，与原始衬底相比，溅射退火表面仅存在轻微碳污染。
作者：
Arnaud P. Nono Tchiomo，Ganga Babu-Geetha，Emanuela Carleschi，Prosper Ngabonziza，Bryan P. Doyle
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