研究目的
通过WO3负载和N掺杂方法调控TiO2晶片中的氧空位(Vos)密度,研究TiO2室温铁磁行为的起源。
研究成果
负载于氮掺杂金红石单晶晶片上的三氧化钨的磁性能源自氧空位。氮掺杂会提高氧空位浓度和饱和磁化强度,而三氧化钨负载则会降低这些指标。本研究为稀磁半导体(DMSs)铁磁性能的起源提供了基础性认识。
研究不足
该研究聚焦于氧空位在铁磁特性中的作用,但未详细探究铁磁性的其他潜在来源。实验条件和样品制备方法可能会限制研究结果的普适性。
1:实验设计与方法选择:
通过直流(DC)磁控溅射法制备了未掺杂、氮掺杂、负载WO3的未掺杂以及负载WO3的氮掺杂TiO2金红石单晶晶片,利用氮掺杂和WO3负载来调控氧空位。
2:样品选择与数据来源:
以(100)取向的TiO2金红石单晶晶片为基底,氮掺杂样品通过在N2和NH3混合气氛中退火获得,负载WO3的样品通过使用钨靶材的直流磁控溅射法获得。
3:实验设备与材料清单:
X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见分光光度计、光致发光(PL)光谱仪、振动样品磁强计(VSM)。
4:实验步骤与操作流程:
采用XRD、SEM、XPS、紫外-可见分光光度计、PL光谱仪和VSM对样品进行表征,分析其结构、光学及磁学性能。
5:数据分析方法:
通过XRD图谱分析晶体结构,XPS分析表面元素组成与化学价态,紫外-可见分光光度计分析光学性能与带隙,PL光谱分析电子-空穴复合率与氧空位,VSM分析磁学性能。
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