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掺杂与未掺杂氮的二氧化钛金红石单晶晶片添加三氧化钨后的铁磁性

DOI:10.3390/ma11101934 期刊:Materials 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:21:01
摘要: 本工作通过直流磁控溅射法制备了未掺杂、氮掺杂、负载三氧化钨的未掺杂以及负载三氧化钨的氮掺杂二氧化钛金红石单晶晶片。通过氮掺杂二氧化钛和在三氧化钨表面负载来分别增加和减少氧空位。采用多种测试手段分析了样品的结构与磁学性能。X射线衍射结果表明氮掺杂和三氧化钨负载未改变所有样品的物相;X射线光电子能谱显示负载于金红石单晶晶片上的钨元素以三氧化钨形式存在;紫外-可见光谱表明负载三氧化钨的未掺杂及氮掺杂二氧化钛金红石单晶晶片的吸收边发生红移,对应带隙略有减??;光致发光光谱显示由于后退火气氛,所有样品中均存在氧空位,且氧空位密度随氮掺杂增加而升高,随三氧化钨在二氧化钛表面负载而降低。通过磁学性能测试发现,饱和磁化强度大小顺序为:氮掺杂>负载三氧化钨的氮掺杂>未掺杂>负载三氧化钨的未掺杂金红石单晶晶片,该顺序与样品氧空位密度排序一致。氮掺杂提升了饱和磁化强度值,而三氧化钨负载则降低了该数值。本文揭示负载三氧化钨的氮掺杂金红石单晶晶片的磁学性能源自氧空位。
作者: Jing Xu,Haiying Wang,Zhongpo Zhou,Zhaorui Zou
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研究概述 实验方案 设备清单

通过WO3负载和N掺杂方法调控TiO2晶片中的氧空位(Vos)密度,研究TiO2室温铁磁行为的起源。

负载于氮掺杂金红石单晶晶片上的三氧化钨的磁性能源自氧空位。氮掺杂会提高氧空位浓度和饱和磁化强度,而三氧化钨负载则会降低这些指标。本研究为稀磁半导体(DMSs)铁磁性能的起源提供了基础性认识。

该研究聚焦于氧空位在铁磁特性中的作用,但未详细探究铁磁性的其他潜在来源。实验条件和样品制备方法可能会限制研究结果的普适性。

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