研究目的
研究将14纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）CMOS技术与硅光子（SiPh）技术集成，以实现具有高带宽密度的超低功耗光I/O收发器。
研究成果
混合14纳米FinFET CMOS-硅光子技术平台在光I/O收发器的能效和带宽密度方面展现出显著进步，且具备进一步优化的潜力。
研究不足
硅光子器件设计和CMOS电路布局的潜在优化可进一步提高调制速率和链路裕量。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用混合FinFET CMOS-硅光子技术平台设计光学I/O收发器。
2：样本选择与数据来源：
使用300毫米SOI晶圆制作硅光子芯片，GlobalFoundries 14LPP工艺制造FinFET CMOS芯片。
3：实验设备与材料清单：
包括硅环形调制器、锗波导光电探测器及微凸点倒装芯片集成技术。
4：实验流程与操作步骤：
描述了硅光子芯片与FinFET CMOS芯片的制备、集成及多条件测试过程。
5：数据分析方法：
分析功耗、带宽密度和数据传输质量等性能指标。
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Si ring modulator
Enables optical modulation in the transmitter.
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Ge waveguide photodetector
Enables photodetection in the receiver.
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FinFET driver
Drives the Si ring modulator in the transmitter.
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Trans-impedance amplifier (TIA)
Amplifies the signal from the Ge photodetector in the receiver.
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