研究目的
研究反应离子刻蚀（RIE）对沉积在介质衬底上的NiCr薄膜太赫兹透射和反射特性的影响。
研究成果
RIE处理通过减弱NiCr薄膜的透射和反射来增强其太赫兹吸收，且对较厚薄膜的效果更为显著。该处理使SiO2衬底表面粗糙化，从而增大了NiCr薄膜的有效吸收面积。
研究不足
该研究聚焦于NiCr薄膜与SiO2衬底，并分析了特定太赫兹频段内反应离子刻蚀处理的影响。未探讨其对其他材料或更宽频段的适用性。
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反应离子刻蚀对介质基板上沉积的NiCr薄膜太赫兹透射与反射特性的影响
DOI：10.5755/j01.ms.21.2.6131
期刊：Materials Science
出版年份：2015
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
通过对外延介质薄膜进行反应离子刻蚀（RIE）处理，已证实沉积在介电基底上的镍铬（NiCr）薄膜具有增强的太赫兹（THz）吸收特性。研究通过在RIE处理的二氧化硅（SiO2）介电基底上沉积纳米级镍铬薄膜，分析其透射与反射特性。实验结果表明：RIE处理会同时削弱NiCr薄膜的透射和反射性能，其中透射率下降最显著的区域为(1~4)THz频段，反射率下降最显著的区域为(1.7~2.5)THz频段。对于厚度更大的NiCr薄膜，透射与反射性能的降低更为明显。该RIE处理通过使SiO2基底表面粗糙化并增大NiCr薄膜的有效表面积，从而增强THz辐射吸收能力，同时减弱其透射与反射效应。
作者：
Jun GOU，Jun WANG，Wei Zhi LI，Xiong Bang WEI，Hui Ling TAI，De En GU，Ya Dong JIANG
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