研究目的
研究氮化镓（GaN）晶体管、特别是增强型晶体管的射频性能，并重点介绍能从其应用中受益的特定射频领域。
研究成果
氮化镓晶体管展现出卓越的射频特性，在1dB压缩点处增益稳定超过20分贝，漏极效率接近60%。其增益高于LDMOS场效应管，漏极效率相当，且带宽可达3GHz。
研究不足
射频器件的散热量显著高于同尺寸的开关器件，因此需要高效地向环境散热。无封装结构可能带来热限制问题，但可通过设计加以克服。
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高效功率转换的氮化镓晶体管 || 射频性能
DOI：10.1002/9781118844779.ch8
出版年份：2014
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
本书到目前为止的主要焦点一直是氮化镓晶体管的开关能力。现在，我们将研究这些氮化镓晶体管（特别是增强型晶体管）的射频能力，并重点介绍能够从其应用中受益的特定射频应用场景。
作者：
Alex Lidow，Johan Strydom，Michael de Rooij，David Reusch
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