研究目的
将存在缺陷但实际可用的石墨烯表征为纳米器件。
研究成果
研究表明，通过酒精化学气相沉积法直接在二氧化硅衬底上生长的缺陷石墨烯可用于制造纳米器件，在多个领域具有广阔应用前景。即使在无序材料中，石墨烯的独特特性依然得以保留，展现出在单电子晶体管、单分子晶体管及范德华堆叠纳米器件中的应用潜力。
研究不足
目前化学气相沉积法制备的石墨烯纳米结构中的传输机制尚未完全明确，鉴于其在多种石墨烯纳米器件中应用的潜力，这仍是一个值得深入研究的有趣课题。
1：实验设计与方法选择：
采用酒精化学气相沉积法（酒精-CVD）在二氧化硅衬底上直接生长石墨烯层，未使用任何催化金属。通过电子束光刻技术将石墨烯薄膜刻划为纳米结构。
2：样品选择与数据来源：
在特定条件下将衬底加热至1000°C，并以乙醇作为碳源。
3：实验设备与材料清单：
拉曼光谱仪、高分辨扫描电子显微镜、光学反射仪、原子力显微镜、电子束曝光机、正性光刻胶、接触式对准仪、低温探针台、半导体参数分析仪。
4：实验流程与操作步骤：
依次完成石墨烯薄膜的生长、纳米结构刻划及多种技术表征。
5：数据分析方法：
通过分析拉曼光谱、方阻及电导率来研究石墨烯纳米结构的特性。
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