研究目的
直流（DC）与高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）工艺在镍薄膜沉积中的比较。
研究成果
与直流技术相比，HiPIMS技术能在复杂几何形状的基板上制备出密度更高、结晶更优且均匀性更好的镍薄膜。
研究不足
HiPIMS的沉积速率较低，这可能是工业应用推广的一个限制因素。
[网络与系统讲义] 工程研究与技术应用进展 第63卷（国际会议ICERA 2018论文集）|| 直流放电与HiPIMS放电的比较及其在镍薄膜制备中的应用
DOI：10.1007/978-3-030-04792-4_27
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
本研究对比了直流（DC）与高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）两种工艺。我们首先指出，直流放电产生的等离子体主要由气态物质组成，而HiPIMS放电则形成以金属蒸气为主导的等离子体，其特点是存在大量强电离且低能量的带电粒子。对于镍（Ni）薄膜而言，采用HiPIMS工艺能制备出密度更高、结晶更完善的镀层，从而提升复杂几何形状基底上涂层的均匀性。
作者：
J. Keraudy，D. T. Nguyen，A. Ferrec，P-Y. Jouan
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