研究目的
研究缓冲层结构对GaAs在GaP衬底上生长晶向特性的影响，并制定缓冲层结构的设计原则。
研究成果
实验结果表明：当缓冲层结构采用较小层厚度和较大晶格失配时，GaAs层相对松弛但含有更多位错；反之，若缓冲层设计相反，则GaAs层位错较少但晶格结构变形较显著。所提出的参数对制定缓冲层结构设计原则具有重要参考价值。
研究不足
由于生长过程中层结构发生变形，插入的应变层超晶格（SLS）未能如预期般发挥作用，这可能是本研究中SLS结构无法降低位错密度的原因之一。
1：实验设计与方法选择：
采用具有不同晶格常数和厚度的多种缓冲层结构，在GaP衬底上生长GaAs层。通过改变As/P和In/Ga化合物比例来调控晶格常数。
2：样品选择与数据来源：
使用表面取向(001)偏离[110]方向约2°的单晶GaP晶圆作为衬底。
3：实验设备与材料清单：
采用配备水平石英反应腔的常压金属有机气相外延（MOVPE）设备进行生长。
4：实验流程与操作步骤：
生长前对GaP衬底进行脱脂、刻蚀和清洗处理。生长过程在无衬底旋转的石英托盘上进行。
5：数据分析方法：
通过X射线衍射、光致发光及蚀坑密度观测表征所生长GaAs层的晶体特性。
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GaP substrate
Used as the substrate for GaAs layer growth
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MOVPE apparatus
Used for the growth of GaAs layers on GaP substrates
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X-ray diffraction equipment
Used for characterizing the crystal properties of the grown GaAs layers
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Photoluminescence equipment
Used for characterizing the crystal properties of the grown GaAs layers
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Etch pit density observation equipment
Used for characterizing the crystal properties of the grown GaAs layers
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