研究目的
研究由SiO2和AlxGa1?xAs层构成的准一维光子晶体（PC）在TE和TM偏振模式下的光子带隙（PBG）及全向光子带隙（Omni-PBG）特性，并探索设计光学滤波纳米器件的潜力。
研究成果
研究表明，对于TE（TM）波偏振，光子带隙（PBG）宽度随入射角增大而增加（减小）。全向PBG宽度随铝含量增加先增大后减小。结果表明该研究在设计光学纳米滤波器件方面具有潜在应用价值。
研究不足
该研究仅限于理论分析和数值计算，未进行实验验证。光学特性分析仅在折射率虚部为零的红外区域进行。
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SiO2/AlGaAs超晶格结构中的光学滤波器件
DOI：10.1016/j.spmi.2018.11.011
期刊：Superlattices and Microstructures
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
本研究在TE和TM偏振模式下，探究了准一维光子晶体（PC）的光子带隙（PBG）与全向光子带隙（Omni-PBG）特性。该光子晶体由SiO2层与AlxGa1?xAs层交替构成，其中x表示GaAs薄片中铝原子的含量?；诼罂怂刮し匠套榭蚣埽捎么渚卣蠓ǎ═MM）将各介质磁场表达为电场函数进行计算。该模型缩短了数值计算时间，使我们能够研究超晶格中的PBG与Omni-PBG特性。研究表明：通过调节组分含量与几何参数，可便捷阻断光子晶体中电磁波的透射。该数值结果对设计光学滤波纳米器件具有重要参考价值。
作者：
A.A. Shokri，R. Jamshidi
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