研究目的
研究快电子与二氧化硅中光学声子模式的纳米尺度相互作用,并分析两种几何构型下电子能量损失谱(EEL)的空间依赖性:一种是独立的二氧化硅截断薄片,另一种是二氧化硅与硅之间存在结区的薄片。
研究成果
该研究展示了截断二氧化硅薄片及二氧化硅-硅界面薄片的电子能量损失谱(EEL)的空间依赖性,重点揭示了二氧化硅所支持的光学声子极化激元模式的贡献。论文讨论了考虑光学声子激发时能量过滤图可达到的空间分辨率,理论模拟与实验结果高度吻合。
研究不足
采用局域介电函数进行的经典描述仅适用于小散射角情形,此时qx,y波数小于材料原子间距的倒数。本研究聚焦于主要贡献来自低动量的光学声子,因此所用表达式具有合理性。然而,若要准确描述动量过滤实验或与声学声子的相互作用,则需对声子态密度进行完整描述。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用扫描透射电子显微镜(STEM)中的电子能量损失谱(EELS)探测物质的低能激发。分析基于线性介电响应理论框架展开。
2:样本选择与数据来源:
样本包括独立的二氧化硅截断薄片及二氧化硅-硅结区薄片。二氧化硅与硅的介电数据引自参考文献。
3:实验设备与材料清单:
配备单色器的60千伏扫描透射电子显微镜(STEM),电子束会聚半角为28毫弧度,使用1毫米光谱仪入口光阑。
4:实验流程与操作步骤:
记录电子束以不同撞击参数穿过样本时的EEL谱,通过COMSOL MULTIPHYSICS软件进行数值EELS计算。
5:数据分析方法:
分析EEL强度的空间依赖性并获取能量过滤图谱,将理论模拟结果与实验数据进行对比。
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