研究目的
研究不同尖端半径的单栅极p型硅尖端在稳定低噪声场发射中的发射行为。
研究成果
门控p型单硅尖端可实现稳定且低噪声的场发射，电流达到微安量级。发射稳定性受尖端半径影响，较大半径显示出更明显的饱和区域。该研究表明具有单独寻址能力的p型单硅尖端阵列具有应用潜力。
研究不足
该研究仅限于具有特定掺杂水平和几何形状的p型硅针尖。真空条件和实验设置可能无法代表所有可能的操作环境。
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日至13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 单个p型硅尖端稳定的低噪声场发射
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都 (2018年7月9日至13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 单个p型硅尖端稳定的低噪声场发射
DOI：10.1109/IVNC.2018.8520018
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
制备了具有两种不同尖端半径的单栅极p型硅针尖。在170V电压下，尖锐边缘针尖测得发射电流为2.40微安。相比之下，增大针尖半径后观察到稳定且可重复的发射行为，在90V至150V间呈现明显饱和区，但在150V时仅获得0.55微安发射电流。更值得注意的是，在30分钟测量期间保持±4%的稳定发射波动。均匀针尖阵列（16个发射体）的积分发射电流与单针尖相比显示出几乎相同的I-V特性，因此主要受阵列中单个稳定针尖支配。
作者：
Christian Prommesberger，Christoph Langer，Rupert Schreiner
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