研究目的
研究GaN栅极长度变化与p型掺杂浓度对AlGaN/GaN常关型HEMT直流性能的影响。
研究成果
p-GaN栅极长度的变化会显著影响DIBL、漏极电流和跨导等性能参数。合理优化栅极长度对于维持常关状态和提升器件性能至关重要。
研究不足
该研究未涵盖栅极长度对击穿分析及其他射频和线性参数的影响，这些内容将留待未来研究范围。
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《[电气工程讲义] 微电子学、电磁学与电信卷521（第四届ICMEET 2018会议论文集）》|| p-GaN栅极长度对AlGaN/GaN常关型HEMT器件性能的影响
DOI：10.1007/978-981-13-1906-8_81
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
在本研究中，我们采用二维Atlas TCAD模拟器，探究了p型掺杂浓度下GaN栅极长度变化对AlGaN/GaN常关型HEMT直流性能的影响。针对所提出的器件进行了全面仿真，分析了漏极电流、跨导系数、能带图和表面电势等不同性能参数随p型GaN栅极长度变化的情况。栅极长度在60至90纳米范围内变化，仿真结果表明：随着栅极长度减小，漏极电流增大且跨导提升。为保持常关工作模式同时提升特定性能参数，必须对栅极长度进行合理优化。
作者：
Sanjit Kumar Swain，Sudhansu Mohan Biswal，Umakanta Nanda，D. Siva Patro，Suraj Kumar Nayak，Birendra Biswal
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