研究目的
回顾黑磷基电子器件的最新进展及其在纳米电子学、超快光学、纳米光子学和光电子学中的应用。
研究成果
该综述最后展望了二维材料（包括黑磷）满足《国际半导体技术路线图》2030年要求的前景，重点强调了基于黑磷的器件在未来电子应用中的潜力。
研究不足
该论文未明确提及所开展研究或实验的具体局限性。
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黑磷基电子器件的最新进展
DOI：10.1002/aelm.201800666
期刊：Advanced Electronic Materials
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
近年来石墨烯的重新发现推动了剥离法等薄层加工技术的快速发展，也使黑磷（BP）重新受到关注。自2014年以来，由于黑磷具有优异的电子、光子和机械性能，相关研究大量涌现。此外，其褶皱结构产生的独特本征各向异性特性可用于设计新型功能器件。回顾过去，学界已在黑磷的合成、基础认知及其在纳米电子学、超快光学、纳米光子学和光电子学领域的应用方面投入了大量努力。本文综述了基于黑磷的器件（如纳米带场效应晶体管、互补逻辑电路、存储器件）的最新进展，以及在解决接触电阻、面内各向异性和先进栅极堆叠等挑战方面取得的突破。最后探讨了二维材料满足《国际半导体技术路线图》2030年目标的前景。
作者：
Wee Chong Tan，Lin Wang，Xuewei Feng，Li Chen，Li Huang，Xin Huang，Kah-Wee Ang
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