研究目的
研究燃烧合成法制备的B和N共掺杂SiC纳米粉体的微波介电性能。
研究成果
B和N共掺杂可调控SiC的介电性能，其中5% B与15% N共掺杂的SiC样品展现出最高的ε′和ε″值，并具有更优的微波吸收性能。研究探讨了共掺杂改善介电性能的机理。
研究不足
该研究聚焦于B和N共掺杂SiC纳米粉末的微波介电性能，但未探索其他可能进一步优化介电性能的潜在掺杂剂或合成方法。
1：实验设计与方法选择：
在氮气气氛下对Si/C体系进行燃烧合成，分别以α-Si3N4粉末和B粉末作为固体氮化剂和掺杂剂。
2：样品选择与数据来源：
以硅粉和炭黑为原料，分别以硼粉和Si3N4粉末作为掺杂剂和固体氮化剂。
3：实验设备与材料清单：
X射线衍射仪（XRD，D8 Advance，布鲁克，德国）、场发射扫描电子显微镜（FESEM，JSM-7500F，日本电子，日本）、X射线光电子能谱仪（XPS，K-Alpha，赛默飞世尔科技）、PNA网络分析仪（安捷伦科技E8362B，美国加州帕洛阿尔托）。
4：实验步骤与操作流程：
将起始粉末在乙醇中混合6小时，并在60°C下干燥。随后，将干燥后的粉末在电阻加热石墨炉中于1400°C煅烧。
5：数据分析方法：
在8.2-12.4 GHz频率范围内测定介电参数。
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获取完整内容-
Field emission scanning electron microscopy
JSM-7500F
JEOL
Observing the morphologies of the powders.
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X-ray photoelectron spectroscopy
K-Alpha
Thermo Scientific
Determining the compositions of the powders.
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PNA network analyzer
E8362B
Agilent Technologies
Determining the dielectric parameters at room temperature.
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X-ray diffractometer
D8 Advance
Bruker
Identifying the crystalline phases of the as-prepared powders.
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