研究目的
研究聚合物网络对盘状液晶（LC）中空穴传输的影响，以及未聚合状态下反应性介晶与盘状有机半导体的相容性。
研究成果
研究表明，盘状液晶与向列相反应性介晶的复合材料结合了二者组分的优势特性，如更高的有序度和空穴迁移率?；镜绾纱湫形３植槐?，在Colh相中纯HAT-5与c1的空穴迁移率比值（μgel/μHAT5）为1.29。然而HAT-5的液晶结构与反应性介晶的相容性有限——对于c3体系而言，长程有序度提升的积极效应已部分被液晶畴内严重聚集现象所抵消。
研究不足
本研究仅限于探究盘状液晶（LC）中的空穴传输，未涵盖其他类型的电荷传输。反应性介晶与盘状有机半导体的相容性仅在未聚合状态下进行了研究。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及盘状液晶与向列相反应性介晶复合材料的制备，这些材料在柱状相中经历紫外光活化聚合形成化学凝胶。通过飞行时间载流子迁移率测量研究聚合物网络对空穴传输的影响。
2：样品选择与数据来源：
研究采用2,3,6,7,10,11-六戊氧基三苯胺（HAT-5）作为盘状有机半导体，以及购自默克公司的反应性介晶（RM，商品名RM82）。
3：实验设备与材料清单：
偏光显微镜（POM）观察使用奥林巴斯BX60F5显微镜，温度由Linkam LTS 350热台控制。空穴迁移率值采用常规飞行时间（TOF）法测量。TOF装置包括Nd:YAG激光器、电压偏置源、电流分流电阻、电压放大器和数字示波器。
4：实验步骤与操作流程：
制备了三种复合材料，分别含有质量分数1%（c1）、3%（c2）和5%（c3）的RM。在28 kV cm?1至48 kV cm?1的电场范围内，以4 kV cm?1为步长计算空穴迁移率值。
5：1）、3%（c2）和5%（c3）的RM。在28 kV cm?1至48 kV cm?1的电场范围内，以4 kV cm?1为步长计算空穴迁移率值。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：迁移率（μ）通过公式μ = d/τtrE计算，其中d为电极间距，τtr为载流子渡越时间，E为施加电场。
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