研究目的
研究薄膜沉积过程中生长压力和温度对BST薄膜结晶行为及介电性能的影响。
研究成果
具有高度择优取向和显著介电性能的BST薄膜为可调谐微波谐振器的制备提供了高效平台。在1.33×10??巴气压和800°C衬底温度下沉积的BST薄膜展现出高介电常数（约475）及65%的可调谐性。
研究不足
该研究仅限于生长压力和温度对BST薄膜结构和介电性能的影响。潜在的优化方向包括进一步探究其他沉积参数的影响，以及将BST薄膜应用于更多样化的电子设备中。
1：实验设计与方法选择：
采用脉冲激光沉积（PLD）技术制备BST薄膜，研究了不同沉积压力和衬底温度对BST薄膜结构和电学性能的影响。
2：样品选择与数据来源：
通过固相反应法制备化学计量比BST靶材，起始材料为1:1比例的钛酸钡和钛酸锶。
3：实验设备与材料清单：
准分子激光器（相干公司：Complex Pro 102 F）、厚度轮廓仪（厂家：Veeco；型号：Dektak 150）、X射线衍射仪（XRD；厂家：理学，型号：Ultima IV）、扫描电子显微镜（SEM；厂家：泰思肯，型号：Mira III）、半导体特性测试系统（厂家：吉时利，型号：4200 SCS）。
4：0）、X射线衍射仪（XRD；厂家：
4. 实验步骤与操作流程：通过改变工艺氧压和衬底温度，在铂化硅衬底上沉积BST薄膜，使用厚度轮廓仪测量BST薄膜厚度。
5：实验步骤与操作流程：
5. 数据分析方法：采用XRD进行薄膜结构表征，SEM监测形貌，使用半导体特性测试系统以MSM结构进行介电性能测试。
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获取完整内容-
Excimer laser
Complex Pro 102 F
Coherent
Used for the deposition of BST thin films.
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X-Ray Diffraction
Ultima IV
Rigaku
Used for structural characterization of the BST thin films.
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Semiconductor characterization unit
4200 SCS
Keithley
Used for dielectric measurements in MSM configuration.
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Thickness profiler
Dektek 150
Vecco
Used to measure the thickness of the BST thin films.
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Scanning Electron Microscopy
Mira III
Tescan
Used to monitor the morphology of the BST thin films.
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