研究目的
研究六方氮化硼封装的MoSe2/MoS2异质双层中莫尔图案对层内激子光学性质的影响。
研究成果
该研究展示了莫尔条纹对MoSe2/MoS2异质双层中层内激子种类光学光谱的影响。由局部不同原子排布导致的势能涨落,将三重子和激子跃迁分裂为两个与莫尔势能光学活性局域极小值相关的峰。这些发现与理论预测一致,并为莫尔势能对层内激子影响提供了清晰的光学特征指纹。
研究不足
远场光学测量的空间分辨率不足以分辨位于不同势能极小处的激子发射能量的空间变化。该研究仅限于观察光致发光和反射光谱中激子线与三子线的分裂。
1:实验设计与方法选择:
本研究涉及制备六方氮化硼(hBN)封装的MoSe?/MoS?异质双层,并通过光致发光(PL)和反射光谱研究其光学特性。
2:样本选择与数据来源:
样品采用全干法确定性转移机械剥离薄片制备而成。
3:实验设备与材料清单:
使用氦气流动低温恒温器、连续波倍频固态激光器、光学参量振荡器(OPO)、锁模钛宝石激光器、配备液氮冷却电荷耦合器件(CCD)相机的光谱仪以及条纹相机。
4:实验流程与操作步骤:
在T=5K条件下测量PL和反射光谱。时间分辨PL测量采用发射波长为532nm的连续波倍频固态激光器进行。
5:数据分析方法:
通过单指数衰减曲线与高斯曲线卷积拟合衰减曲线(以校正仪器响应函数),提取PL衰减时间。
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