研究目的
研究Ti2NiAl/GaAs(100)异质结界面原子的磁性、态密度和自旋极化特性，探索其在隧道磁阻(TMR)器件中的潜在应用。
研究成果
具有TA-ATⅡ结构的Ti2NiAl/GaAs(100)异质结具有55.77%的最高自旋极化率，使其成为隧道磁阻器件进一步开发的理想候选材料。
研究不足
界面态严重破坏了结构半金属性，导致自旋极化率低于60%。只有具有TA-ATⅡ结构的异质结保持了近60%的自旋极化率。
Hg?CuTi型Heusler合金Ti?NiAl/GaAs(100)异质结的界面特性
DOI：10.1088/1757-899X/397/1/012058
期刊：IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
出版年份：2018
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
对于Hg2CuTi型反赫斯勒合金Ti2NiAl/GaAs(100)隧道异质结，基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算系统研究了界面原子的磁性、态密度和自旋极化特性。计算结果表明：界面态严重破坏了结构的半金属性，导致自旋极化率低于60%。在所有计算的异质结构中，仅TA-ATⅡ构型的异质结仍保持近60%的自旋极化率，有望应用于隧道磁电阻(TMR)器件。
作者：
Yuanqiang Zhang，Lu Yang，Xiude Yang
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