研究目的
研究基于B/N掺杂单壁碳纳米管构建的纳米尺度结的构造与电子传输特性。
研究成果
该研究成功在硼/氮掺杂的单壁碳纳米管上构建了具有整流特性的纳米级结点。该结点展现出与理想p-n结二极管相似的特性，在纳米电子学应用中具有重大潜力。
研究不足
随机掺杂中掺杂剂分布的随机性导致结区I-V曲线的不确定性，进而造成器件性能的随机性以及此类微小器件的高故障概率。
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基于B/N掺杂单壁碳纳米管构建的纳米级微小结点
DOI：10.1088/1361-6528/aaf3e5
期刊：Nanotechnology
出版年份：2018
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
基于碳纳米管（CNT）的器件特征尺寸正不断缩小。然而，持续微型化仍面临诸多问题，需要创新思路与结构设计。通过在半导体性单壁碳纳米管（SWCNT）中规则掺杂硼和氮原子，我们构建了具有整流特性的纳米级结区。该结区的I-V曲线与理想p-n结二极管的I-V曲线相似。此结区通道宽约0.6纳米、长3.4纳米，占位面积为5.1纳米。在0.5伏偏压下，该结区漏电流为-8.81×10?3微安，整流比Ion/Ioff达0.716×103，电流密度为10.52毫安/微米。研究还揭示了不同掺杂分布对I-V曲线的影响。与传统随机掺杂方法相比，这种纳米级规则掺杂方法具有显著效果与重要意义。
作者：
Tairan Wang，Juan Zhang，Qingyi Shao
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