研究目的
研究辐射对氮化铝肖特基势垒二极管（SBDs）的影响，以了解其在质子辐照下的性能表现，适用于极端环境应用。
研究成果
氮化铝肖特基势垒二极管在质子辐照注量达到5×1013 cm?2时表现出可靠性能，在5×101? cm?2时出现显著退化。该研究为氮化铝电子器件的抗辐射性能提供了重要见解，表明其具有在极端环境中应用的潜力。
研究不足
该研究仅限于质子辐射对AlN肖特基势垒二极管的影响，未涉及其他类型辐射或材料。测试中最高注量显示出显著退化，表明存在一个器件性能受损的阈值。
1：实验设计与方法选择：
本研究制备了横向Pd/n-AlN肖特基势垒二极管（SBD），并在不同注量下进行3 MeV质子辐照。每次辐照前后均进行了电学与材料特性表征。
2：样品选择与数据来源：
AlN SBD通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在蓝宝石衬底上生长制备。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于高分辨X射线衍射（HR-XRD）扫描的PANalytical X'Pert Pro X射线衍射仪、用于表面形貌分析的原子力显微镜（AFM），以及用于电学表征的Keithley 4200-SCS参数分析仪。
4：实验流程与操作步骤：
SBD在不同注量下接受3 MeV质子轰击。每次注量后重复表征测试以研究辐射影响。
5：数据分析方法：
采用标准热电子发射模型分析SBD的电学特性。
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Atomic Force Microscopy
Bruker Multimode 8
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Used for surface morphologies examination of AlN samples.
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Used for analyzing device characteristics of AlN SBDs such as current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics.
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