研究目的
利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术研究高质量β-Ga2O3及β-(AlxGa1?x)2O3/β-Ga2O3异质结构在功率电子器件应用中的生长。
研究成果
金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法能够以高生长速率制备高质量的β-Ga2O3层及β-(AlxGa1?x)2O3/β-Ga2O3异质结构，并具有优异的材料特性，适用于高压功率器件的大规模生产。该研究证明了MOCVD在功率电子工业应用中的潜力。
研究不足
该研究的局限性在于发现硅是未掺杂β-Ga2O3层中的主要杂质，这会影响自由载流子浓度。所实现的高生长速率也可能给大面积保持均匀的薄膜质量带来挑战。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长β-Ga2O3薄膜及β-(AlxGa1?x)2O3/β-Ga2O3异质结构。通过使用不同镓前驱体（Ga(DPM)3、TEGa和TMGa）研究其对生长速率和薄膜质量的影响。
2：TEGa和TMGa）研究其对生长速率和薄膜质量的影响。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：同质外延β-Ga2O3层生长于导电型（锡掺杂）和半绝缘型（铁掺杂）β-Ga2O3 (010)衬底上。β-(AlxGa1?x)2O3合金生长于蓝宝石衬底。
3：实验设备与材料清单：
使用定制设计的近注入喷淋头（CIS）MOCVD反应器。前驱体包括Ga(DPM)3、TEGa、TMGa及用于氧化的氧气。
4：TEGa、TMGa及用于氧化的氧气。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：通过调节氧流量、腔室压力和衬底温度优化生长条件。采用XRD、AFM和霍尔测量评估生长层质量。
5：数据分析方法：
利用XRD分析晶体结构、AFM观测表面形貌、霍尔测量测定电子迁移率和载流子浓度，综合评估薄膜的结构与电学特性。
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MOCVD reactor
CIS-MOCVD
Agnitron Technology
Growth of β-Ga2O3 films and β-(AlxGa1?x)2O3/β-Ga2O3 heterostructures
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Gallium precursor
Ga(DPM)3
Source of gallium for MOCVD growth
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Gallium precursor
TEGa
Source of gallium for MOCVD growth
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Gallium precursor
TMGa
Source of gallium for MOCVD growth
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Aluminum precursor
TMAl
Source of aluminum for MOCVD growth of β-(AlxGa1?x)2O3
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Aluminum precursor
TEAl
Source of aluminum for MOCVD growth of β-(AlxGa1?x)2O3
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