研究目的
研究在低温加工条件下，通过采用金属覆盖层（MC）结构提升非晶硅铟锌氧化物（a-SIZO）薄膜晶体管（TFTs）的性能。
研究成果
金属盖层显著提升了SIZO薄膜晶体管在低退火温度下的性能，实现了21.4 cm2/V·s的场效应迁移率并改善了稳定性。该金属盖结构形成了受界面陷阱位点影响较小的电流路径，从而获得更高的迁移率和更优的稳定性。
研究不足
该研究受限于沟道表面和/或沟道与栅极绝缘体界面处的俘获/去俘获现象，这是主要的不稳定机制。此外，为适应柔性衬底，加工温度被限制在150°C。
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硅铟锌氧化物半导体金属覆盖层实现150°C低温加工的高性能薄膜晶体管工艺
DOI：10.1166/jnn.2017.14053
期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology
出版年份：2017
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
我们通过射频溅射技术在150°C的低温加工条件下制备了非晶硅铟锌氧化物(a-SIZO)薄膜晶体管(TFT)。在TFT上采用金属覆盖(MC)结构后性能得到提升。即使在低退火温度下，场效应迁移率(μFE)仍达到21.4 cm2/V·s，阈值电压偏移仅1.3 V。我们认为迁移率的提升归因于金属覆盖层，该层能有效阻隔氢气和水蒸气的环境效应。
作者：
Jun Young Choi，Byeong Hyoen Lee，SangSig Kim，Sang Yeol Lee
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