研究目的
研究退火温度对电子束蒸发法制备的CdSe薄膜形貌、结构及光学性能的影响。
研究成果
研究表明，退火温度显著影响CdSe薄膜的结构和光学特性。晶粒尺寸随温度升高而增大，且薄膜呈现直接带隙特性。研究结果表明，通过控制退火温度可调控CdSe薄膜的性能，这对光电器件应用至关重要。
研究不足
该研究仅限于300°C以内退火温度对CdSe薄膜的影响。该工艺需在真空中操作，这可能限制其可扩展性并增加成本。
1：实验设计与方法选择：
采用电子束蒸发技术在玻璃基板上沉积CdSe薄膜，并在100°C至300°C范围内进行退火处理。
2：样品选择与数据来源：
使用光谱纯硒化镉（99.99%）作为源材料。
3：99%）作为源材料。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：HINDHI-VAC真空机组（型号：12A4D）、电子束电源（型号：EBG-PS-3K）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、紫外-可见分光光度计（UV-Vis）及傅里叶变换红外光谱仪。
4：实验步骤与操作流程：
在10^-6托真空度下，以5 kV加速电压和约1.5 kW/cm2功率密度沉积薄膜，蒸发速率为0.5 nm/s。
5：5 kW/cm2功率密度沉积薄膜，蒸发速率为5 nm/s。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：通过XRD数据计算晶粒尺寸、位错密度、应变及晶格常数；利用UV-Vis光谱分析光学特性。
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获取完整内容-
Scanning Electron Microscope
HITACHI Model S-3000H
HITACHI
Used for morphological characterization of the films.
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X-ray diffraction unit
X’pert Pro PANanalytical
PANanalytical
Used for structural characterization of the films.
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UV-Vis-NIR spectrophotometer
Hitatchi-330
Hitatchi
Used for optical characterization of the films.
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HINDHI-VAC vacuum unit
12A4D
HINDHI-VAC
Used for depositing CdSe thin films on glass substrates.
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Electron beam power supply
EBG-PS-3K
Provides power for the electron beam evaporation process.
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