研究目的
通过掺杂硅和氧来提高a-C:H涂层的耐热氧化稳定性，同时保持沉积具有超光滑形貌的超薄膜的可能性。
研究成果
与等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备的涂层相比，等离子体浸没离子注入与沉积（PIIID）生长的a-C:H:Si:O薄膜具有更高的热氧化稳定性，这使其在对当前a-C:H变体材料强度要求不足的应用中颇具吸引力。
研究不足
该研究并未估算PIIID生长材料在发生显著结构变化前所能承受的最高温度。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用等离子体浸没离子注入与沉积（PIIID）技术制备富氧化硅类金刚石材料。
2：样品选择与数据来源：
使用硅基底及集成针尖的硅原子力显微镜（AFM）悬臂梁。
3：实验设备与材料清单：
以六甲基二硅氧烷（HMDSO）作为前驱体气体。
4：实验流程与操作步骤：
分别在硅基底和硅AFM悬臂梁上通过PIIID沉积薄膜，时长为30分钟和108秒。
5：数据分析方法：
表征手段包括光学显微镜、AFM、透射电镜（TEM）、卢瑟福背散射/前向反冲谱（RBS/FRES）、X射线光电子能谱（XPS）及近边X射线吸收精细结构光谱（NEXAFS）。
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HMDSO
NMR grade, ≥99.5%
Sigma Aldrich
Precursor gas for PIIID film deposition
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AFM
Asylum MFP-3D
Atomic force microscopy measurements
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TEM
JEOL 2100 HRTEM
Transmission electron microscopy observations
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XPS
VG Scienta R3000
X-ray photoelectron spectroscopy measurements
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NEXAFS
Near-edge X-ray absorption fine structure spectroscopic measurements
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