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锐利裙边带通滤波器集成的单刀双掷开关（截止态为吸收式）

DOI：10.1109/TMTT.2018.2880914 期刊：IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 出版年份：2018 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 本文提出了一种采用共短阶梯阻抗谐振器技术的带通滤波器(BPF)集成单刀双掷(SPDT)开关。通过经典耦合谐振器滤波器设计理论，可合成反向偏置p-i-n二极管的BPF集成导通态，而正向偏置p-i-n二极管的截止态则处于失谐状态，呈现出高截止态抑制(OSS)。利用直接耦合馈电、交叉耦合以及混合电/磁耦合的抵消效应产生传输零点，显著提升了导通态通带选择性。作为实例，设计了中心频率f0=1GHz、纹波带宽分别为110/100MHz的三阶/四阶BPF集成SPDT开关，其插入损耗低至1.08/1.58dB，具有陡峭的裙边、高边带滚降率、40.9/40.1dB的高OSS以及57.4/47.8dB的高端口间隔离度。随后，将切换式50Ω匹配电路与上述BPF集成SPDT开关的两个输出端口串联，从而实现吸收式截止态。所制备的具有吸收式截止态的三阶/四阶BPF集成SPDT开关具有30/28.2dB的匹配回波损耗，其OSS和端口间隔离度也得到提升。
作者： Jin Xu，Hao Wan，Zhi-Yu Chen
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

介绍一种采用普通短路阶跃阻抗谐振器技术的带通滤波器(BPF)集成单刀双掷(SPDT)开关，实现低插入损耗、陡峭边缘、高边带滚降率、高关断状态抑制(OSS)以及高端口间隔离度。

研究成果

本文提出了一种三阶带通滤波器集成单刀双掷开关和一种四阶带通滤波器集成单刀双掷开关的选择性方案。通过在非公共端口串联可切换的50欧姆匹配电路，还实现了吸收式关断特性。所提出的带通滤波器集成单刀双掷开关具有低插入损耗、陡峭的通带选择性、深度带外抑制、高端口间隔离度以及紧凑的电路尺寸。

研究不足

该论文未明确提及研究的局限性。

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