研究目的
研究量子点的垂直堆叠、GaAs势垒层厚度以及与铋的同价掺杂对InAs/GaAs异质结构光致发光特性的影响。
研究成果
研究表明，量子点层的垂直堆叠和GaAs势垒的Bi掺杂能显著影响InAs/GaAs异质结构的光致发光特性，为调控光致发光光谱提供了方法，有望应用于红外光电探测器。
研究不足
该研究的局限性在于离子束沉积的特定条件以及所探索的铋掺杂浓度范围。未研究更高铋浓度或不同沉积方法的影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过离子束沉积法生长InAs/GaAs异质结构，以探究量子点垂直堆叠、GaAs势垒厚度及铋掺杂对光致发光特性的影响。
2：样本选择与数据来源：
样本生长于GaAs(100)衬底上，通过改变量子点层数、GaAs势垒厚度及不同铋含量的GaAsBi势垒进行调控。
3：实验设备与材料清单：
采用离子束沉积系统进行材料沉积，使用GaAs(100)衬底、多晶GaAs1?xBix靶材，以及原子力显微镜（AFM）、拉曼光谱仪和X射线衍射仪（XRD）等表征工具。
4：实验流程与操作步骤：
在受控条件下沉积材料，随后对其结构与光学特性进行表征。
5：数据分析方法：
通过分析光致发光光谱、AFM图像、XRD图谱及拉曼光谱，确定结构变化对光学特性的影响。
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