研究目的
通过化学滴注法制备SenS8?n薄膜并研究其结构、光学及电学性能。
研究成果
通过化学浴沉积法在商用玻璃基底上制备了硫化硒(SeS2)晶体薄膜。通过改变SeS2浓度制得四种不同薄膜并研究其光学特性。当浓度不超过0.004 M时,薄膜呈现高透光率和低反射率;溶液浓度超过0.005 M后,这些光学参数发生显著变化。n、k、ε值及吸光度也表现出类似的浓度依赖性。我们在可见光区域详细分析了这些参数:0.002 M和0.003 M浓度样品的介电常数大于1,而0.003 M及以下浓度样品具有高透光特性。低浓度沉积的SeS2薄膜可通过化学浴法轻松制备,适用于多种光学器件的透明层材料。
研究不足
该研究聚焦于化学滴涂法制备的硫化硒薄膜的光学特性,但未探讨其他制备方法或该工艺的可扩展性。
1:实验设计与方法选择:
通过化学浴沉积法在商用玻璃基底上制备硫化硒(SeS2)晶体薄膜。
2:样品选择与数据来源:
在二硫化碳溶剂中配制含不同量二硫化硒的溶液,溶液浓度分别为2×10?3 M、3×10?3 M、4×10?3 M和5×10?3 M。
3:实验设备与材料清单:
哈希兰格DR 5000分光光度计、珀金埃尔默Spectrum 400光谱仪、维易科多模式原子力显微镜。
4:实验步骤与操作流程:
室温下采用浸渍提拉法(三次浸渍)将20毫升溶液涂覆于玻璃基底,随后所有薄膜在室温下干燥。15分钟后,薄膜上的二硫化碳溶剂蒸发,最终二硫化硒沉积于表面。
5:数据分析方法:
采用哈希兰格DR 5000分光光度计在室温下测定SenS8?n薄膜的光学参数;使用珀金埃尔默Spectrum 400光谱仪(配备DTGS检测器,分辨率4 cm?1,每个光谱扫描10次)记录SeS8?n的红外光谱;通过维易科多模式原子力显微镜测量薄膜厚度。
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