研究目的
系统研究过渡金属（TM）的数量和类型对SnSe2双层纳米片磁性能的影响。
研究成果
研究表明，通过过渡金属的层间掺杂可显著调控SnSe2双层材料的磁性能，有望应用于自旋电子器件。磁矩大小及类型（铁磁或反铁磁）可通过掺杂元素的种类和数量进行调节。
研究不足
该研究仅限于理论计算，未包含实验验证。重点在于TM掺杂诱导的磁性能，未探讨其他性质。
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SnSe2双层结构的层间掺杂第一性原理研究
DOI：10.1007/s11051-018-4403-3
期刊：Journal of Nanoparticle Research
出版年份：2018
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
采用密度泛函理论计算，我们系统研究了过渡金属（TM）数量和类型对SnSe?双层纳米片磁性的影响。结果表明：当单层TM插入层间时，Co和Ni诱导的磁矩微弱，而V、Cr、Mn和Fe掺杂会显著增强磁矩。双TM插入时，V和Cr使体系转变为弱反铁磁（AFM）态，Mn、Fe和Co掺杂体系则呈现弱铁磁（FM）基态——这些FM态的磁矩是单TM掺杂体系的两倍。当TM数量增至四个时，Fe和Mn掺杂分别表现出强AFM和FM特性。无论填充多少Ni原子均不产生磁性。值得注意的是，随着掺杂量增加，Fe-SnSe?和Cr-SnSe?体系分别预测会发生FM→AFM和AFM→FM转变，这种转变可能对自旋电子器件应用具有重要意义。
作者：
Tao Zhou，DanMei Zhou，Yanqun Wang，Jinyan Du，YuCheng Huang
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