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SrAl2O4:Eu2+,Dy3+中位错密度水平诱导的无应力余辉与力致发光之间的差异

DOI:10.1016/j.ceramint.2018.10.066 期刊:Ceramics International 出版年份:2018 更新时间:2025-09-10 09:29:36
摘要: 本文报道了基于一系列光致发光和力致发光实验,在铕离子(Eu2?)和镝离子(Dy3?)共掺杂铝酸锶(SrAl?O?,简称SAO,记为SAOED)材料中发现的新光子行为。研究发现:SAOED中位错密度的增加会降低其无应力余辉强度,同时增强力致发光(ML)效应——这两种性质的相反变化趋势尚未见文献报道。实验观察到:随着晶格应变增大,外加拉力作用下的光强变化率(LICR)升高而应力余辉减弱;当晶粒尺寸减小时,LICR增大而应力余辉降低。这些发现共同引出了一个需要考虑SAO基质晶格间隙空位的新联合机制(无应力余辉-ML机制)?;谙葳迳疃冉档湍P?,我们推导出LICR表达式,并预测了该机制对其他光子材料的适用性。本研究的基础性发现将彻底改变力致发光材料的设计范式,为该技术的全面发展铺平道路。
作者: Joel Renaud Ngouanom Gnidakouong,Gun Jin Yun
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研究概述 实验方案 设备清单

研究位错密度对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+材料无应力余辉和力致发光的影响。

SAOED中位错密度的增加降低了其无应力余辉,同时增强了其机械发光。研究引入了一种新的无应力余辉-机械发光联合机制,考虑了SAO基质晶格中的间隙空位。这一发现将改变机械发光材料设计的范式。

该研究聚焦于位错密度对SAOED中光致发光和力致发光的影响,但部分样品复杂的颗粒分布可能会影响结果。

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