研究目的
通过研究Ti膜厚度和退火温度对金属夹层ZnO/Ti/Cu/Ti/ZnO薄膜体系表面形貌、方阻及光学性能的影响,制备具有高导电性和高可见光透过率的透明导电薄膜。
研究成果
经400°C退火的金属夹层ZnO/Ti/Cu/Ti/ZnO薄膜体系具有最佳性能,其导电性和光学特性均得到改善。品质因数随温度升高而增加,表明退火对薄膜性能具有积极影响。
研究不足
该研究仅限于Ti膜厚度和退火温度对ZnO/Ti/Cu/Ti/ZnO薄膜性能的影响。复杂的制备工艺可能会限制其应用。
1:实验设计与方法选择:
采用磁控溅射技术制备金属夹心ZnO薄膜体系,并进行不同温度退火处理。
2:样品选择与数据来源:
以玻璃为衬底进行沉积。
3:实验设备与材料清单:
磁控溅射系统(Explorer 14,美国)、快速热退火系统(RTP-500,中国)、原子力显微镜(AFM)(Innova,美国)、紫外-可见分光光度计(岛津UV-3600,日本)。
4:实验步骤与操作流程:
室温下沉积薄膜,100至400°C温度范围内退火,测量表面形貌、方阻及光学性能。
5:数据分析方法:
分析表面粗糙度、方阻、透过率及优值。
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magnetron sputtering system
explorer 14
America
Deposition of thin films
-
rapid thermal annealing system
RTP-500
China
Annealing of thin films
-
atomic force microscope
Innova
America
Measurement of surface morphologies
-
UV and visible spectrophotometer
Shimadzu UV-3600
Japan
Measurement of transmission spectra
-
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