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采用束减速技术的极低能量（100电子伏特）电子束激发AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构发光

DOI：10.7567/1347-4065/aaee0d 期刊：Japanese Journal of Applied Physics 出版年份：2019 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 我们开发了一套低束能阴极荧光（CL）系统。该系统由配备束减速（又称"减速"）工具的扫描电子显微镜和CL检测系统组成。利用该系统研究AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管结构时，即使在100电子伏特能量下仍观测到带边发射。经数秒等离子体辐照后，带边发射显著减弱。这种低束能阴极荧光技术对表面状态高度敏感，可用于器件制备中干法工艺的优化。
作者： Ryuichi Sugie，Tomoyuki Uchida，Takashi Fujii，Tsutomu Araki
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

利用束减速技术研究极低能电子束下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的发光现象，以优化器件制备中的干法工艺。

研究成果

基于扫描电子显微镜的低束能阴极荧光系统通过采用束流减速装置，对表面状态具有高度敏感性，可有效用于器件制造中干法工艺的优化。该系统即使在0.1千电子伏能量下仍能观测到AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的带边发射，表明载流子能高效扩散穿过AlGaN层。

研究不足

用于估算电子穿透深度的半经验公式在低能区往往比蒙特卡罗模型低估束流范围。0.1 keV处相对强度低于0.2和0.3 keV处的原因尚未完全明确。

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