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??化镉薄膜结构的椭圆偏振分析

DOI：10.1155/2015/920421 期刊：Advances in Materials Science and Engineering 出版年份：2015 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 在"热壁"外延真空装置中，对生长于硅和碲镉汞衬底上的CdTe薄膜进行了椭偏分析。研究发现，采用单层膜模型进行椭偏数据计算会导致光学常数谱的严重失真：这一事实证实了需要引入更复杂的模型来考虑薄膜的非均匀性。通过双层膜模型进行的椭偏数据计算表明，碲镉汞薄膜具有由CdTe、空腔和基底氧化物三组分混合物构成的表层，该混合物各组分比例取决于沉积时间（即薄膜厚度）。内层则由纯碲镉汞构成。
作者： Anna Evmenova，Volodymyr Odarych，Mykola Vuichyk，Fedir Sizov
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

利用椭圆偏振法分析生长在硅（Si）和碲镉汞（CdHgTe）衬底上的碲化镉（CdTe）薄膜结构，并确定是否需要比单层膜模型更复杂的模型来准确描述薄膜的光学特性和非均匀性。

研究成果

研究表明，单层膜模型会导致厚度超过70纳米的CdTe薄膜光学常数光谱出现显著畸变。必须采用双层膜模型才能准确描述薄膜结构：内层为块体CdTe，外层则由CdTe、空腔和氧化物的混合物构成。该外层的成分会随沉积时间和薄膜厚度变化而改变。

研究不足

该研究的局限性在于椭偏测量的准确性以及两层模型中所做的假设。薄膜的不均匀性和表面粗糙度的存在也可能影响结果。未来的研究可以着重提高测量精度并探索更复杂的模型。

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