研究目的
介绍一种无需使用p型氮化镓和栅极电介质的基于氮化镓的静电感应晶体管（SIT），并研究其根据鳍片宽度的电学特性。
研究成果
展示出高阻断电压和低导通电阻的氮化镓静电感应晶体管（GaN SIT），将成为下一代高功率、高频电子器件中极具前景的一类晶体管。对氮化镓静电感应晶体管工艺及其电学性能的研究，有望为开发下一代高功率、高频器件提供契机。
研究不足
与之前报道的更为成熟的SiC SIT相比，该器件的阻断电压相当低。器件漏电行为可能归因于c面GaN上SiO2层较差的介电性能。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用光刻胶辅助平坦化与干法刻蚀参数，制备了具有亚微米鳍宽的氮化镓静电感应晶体管（GaN SIT）。
2：样品选择与数据来源：
样品通过在氮化镓衬底上采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长n型氮化镓漂移层制备而成。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于刻蚀的反应离子刻蚀机（RIE）、用于沉积的电子束蒸发仪（e-beam）以及用于成像的二次电子显微镜（SEM）。材料包含镍掩模层、二氧化硅介质层和钼栅电极。
4：实验流程与操作步骤：
工艺流程包括镍掩模层图形化、氮化镓刻蚀形成鳍结构、二氧化硅介质层沉积，以及在鳍侧壁制备钼栅电极和二氧化硅侧墙。
5：数据分析方法：
通过测量不同氮化镓SIT鳍宽对应的电流密度及调制特性来分析电学性能。
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Keithley 4200-SCS parameter analyzer
4200-SCS
Keithley
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