研究目的
研究不同射频功率对通过PECVD法制备的SiNx薄膜应力和折射率的影响，该薄膜用于AMOLED显示器中的薄膜封装。
研究成果
优化射频功率的多层氮化硅薄膜能显著提升OLED显示器在高湿高温环境下的可靠性及阻抗老化寿命。
研究不足
该研究仅限于射频功率对SiNx薄膜性能的影响，未探讨其他PECVD参数或替代封装材料。
P-10.2：等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备的SiNx薄膜对薄膜封装性能的影响
DOI：10.1002/sdtp.12821
期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers
出版年份：2018
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
采用低温等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术在有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示器的薄膜封装中制备无机层。我们系统地获得了不同射频功率下的氮化硅（SiNx）薄膜，通过表征和分析应力与折射率来研究薄膜性能。结果表明，不同射频功率会导致不同的薄膜应力，精心设计的应力匹配多层SiNx结构能显著提升薄膜封装（TFE）的可靠性。此外，采用新型多层SiNx无机层TFE结构的OLED显示器在60℃、90%湿度条件下的加速老化寿命（RA）从240小时大幅提升至480小时。
作者：
Shengfang Liu，Xueyuan Li，Ping Zhu，Ying Huang，Xiaoyu Gao，Xiuqi Huang
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