研究目的
研究羟乙基纤维素（HEC）浓度对硅材料抛光性能（包括去除速率和表面粗糙度）的影响，并探究其作用机理。
研究成果
羟乙基纤维素（HEC）的浓度对硅片抛光过程中的胶体特性、电化学反应及界面状态具有决定性影响。优化HEC浓度对实现预期抛光性能至关重要，且抛光体系中应考虑添加剂的胶体特性。
研究不足
该研究聚焦于羟乙基纤维素（HEC）浓度对硅抛光性能的影响，但未探究其他添加剂或条件可能对抛光过程产生的作用。
1：实验设计与方法选择：
研究采用不同浓度羟乙基纤维素（HEC）的碱性研磨液抛光硅片，观察其对去除速率和表面粗糙度的影响。
2：样本选择与数据来源：
使用直径四英寸的库存抛光后硅片。
3：实验设备与材料清单：
CP-4抛光机（美国CETR）、软垫（Politex）、原子力显微镜（AFM，美国Q-Scope 250）、天平（美国梅特勒-托利多）、颗粒分析仪（美国PSS Nicomp380）、粘度计（中国NDJ-1）、紫外光谱检测器（日本Jasco V570）、电化学工作站（中国CHI 604B）。
4：0）、天平（美国梅特勒-托利多）、颗粒分析仪（美国PSS Nicomp380）、粘度计（中国NDJ-1）、紫外光谱检测器（日本Jasco V570）、电化学工作站（中国CHI 604B）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：按特定参数执行抛光，随后进行清洗并测量表面粗糙度与去除速率。
5：数据分析方法：
基于化学机械抛光（CMP）前后的质量差计算去除速率，使用AFM测量表面粗糙度。
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获取完整内容-
CP-4 polisher
CETR
Used for polishing silicon wafers
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Atomic force microscopy
Q-Scope 250
Used to measure the surface roughness after CMP
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Balance
Mettler Toledo
Used for measurement of the mass before and after CMP
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Particle analyzer
PSS Nicomp380
Used to measure the diameter and zeta potential of colloid silica in alkaline slurry
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Viscometer
NDJ-1
Used to measure the viscosity
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Ultraviolet spectrum detector
Jasco V570
Used to detect ultraviolet spectrum
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Potentiostat
CHI 604B
Used for electrochemical measurement
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