研究目的
介绍光学光刻技术、其能力与局限,以及各种可选方案,重点探讨不同光学系统中的分辨率极限和焦深问题。
研究成果
光学光刻仍是纳米电子制造中最广泛使用的光刻工艺,其持续的技术进步推动了计算革命。极紫外(EUV)光刻作为光学光刻的重要延伸,在面临独特挑战的同时,为进一步提升分辨率提供了可能。
研究不足
该论文指出,前沿光学光刻工具及掩模的高资本成本使其不太适用于低产量的实验室应用场景。同时探讨了极紫外(EUV)光刻特有的挑战,包括在EUV波长范围内实现高反射率、光源功率要求、真空纯度、掩模缺陷以及光晕效应等问题。