研究目的
研究热退火对四元AlInGaN外延层上Ni/Pt肖特基接触电学和结构特性的影响。
研究成果
研究表明，热退火工艺会影响四元系AlInGaN外延层上Ni/Pt肖特基接触的电学与结构特性。Pt/Au接触获得了最高的肖特基势垒高度，而经过退火的Ni/Pt/Au接触其势垒高度随温度升高而降低。X射线衍射证实了新界面相的形成，但衍射图谱未随退火温度变化。较高的理想因子表明存在热电子发射之外的电流传输机制。
研究不足
该研究仅限于热退火对特定成分AlInGaN外延层上Ni/Pt肖特基接触的影响。研究结果可能不直接适用于其他成分或其他类型的肖特基接触。
1：实验设计与方法选择：
研究在四元Al0.84In0.13Ga0.03N外延层上制备了Pt/Au、Ni/Au、Ni/Pt/Au肖特基接触，通过电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）和高分辨率X射线衍射（HR-XRD）测量，研究了退火温度对其电学和结构特性的影响。
2：84In13Ga03N外延层上制备了Pt/Au、Ni/Au、Ni/Pt/Au肖特基接触，通过电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）和高分辨率X射线衍射（HR-XRD）测量，研究了退火温度对其电学和结构特性的影响。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：样品通过在GaN/Al2O3衬底上金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的AlInGaN外延层上制备肖特基接触获得。
3：实验设备与材料清单：
所用设备包括Rigaku Smart Lab高分辨衍射仪系统、Thermo Scientific Kα XPS系统、HP 4192A低频阻抗分析仪、Keithley 199数字多用表/扫描仪及Lake Shore 321自动调温控制器。
4：实验流程与操作步骤：
肖特基接触在氮气氛围中分别以300°C、400°C和500°C退火2分钟，测量退火前后的电学和结构特性。
5：数据分析方法：
从I-V和C-V测量中提取肖特基势垒高度（SBH）、理想因子和串联电阻，利用XRD分析结构变化。
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Keithley model 199 dmm/scanner
199
Keithley
Current–voltage characteristics measurement
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Lake Shore model 321 auto-tuning temperature controller
321
Lake Shore
Temperature measurement and control
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Rigaku Smart Lab high-resolution diffractometer system
Smart Lab
Rigaku
X-ray diffraction measurements
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Thermo Scientific K-a XPS system
K-a
Thermo Scientific
X-ray photoelectron spectroscopy measurements
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HP 4192A LF impedance analyzer
4192A
HP
Capacitance–voltage and conductance–voltage measurements
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