研究目的
开发一款基于碲化镉(CdTe)的16×16像素X射线探测器,具有精细间距和高能量分辨率,适用于X射线天体物理学、核安全及医学成像领域。
研究成果
D2R1专用集成电路与碲镉汞肖特基二极管结合,在59.5千电子伏特能量下实现了580电子伏特半高宽的光谱分辨率,适用于空间成像光谱和医学成像等多种应用。未来工作包括设计尺寸更小、等效噪声电荷更低的大规模芯片。
研究不足
该研究面临一些局限性,例如部分测量结果出现无法解释的饱和现象、能量相关能量补偿(ENC)存在波动,以及肖特基CdTe探测器因偏置诱导极化效应需要定期重置高压电源。
1:实验设计与方法选择:
本研究设计了一种基于CdTe的X射线探测器,通过铟金柱键合工艺连接特定ASIC芯片。该ASIC针对低噪声和高光谱分辨率进行了优化。
2:样本选择与数据来源:
采用像素阳极尺寸为300微米×300微米的肖特基CdTe探测器,从阴极侧照射以增强低能光子相互作用。
3:实验设备与材料清单:
实验装置包含CdTe肖特基二极管、D2R1 ASIC芯片、放射性源(241Am和57Co)以及用于降低探测器散粒噪声的冷却系统。
4:实验流程与操作步骤:
通过单像素电荷注入进行探测器特性表征,利用放射性源测量光谱响应,并开展辐射效应测试。
5:数据分析方法:
对能量分辨率、等效噪声电荷和线性度进行分析,并与理论预期值进行对比。
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