研究目的
利用金属辅助化学刻蚀（MacEtch）与各向异性湿法刻蚀相结合的方法，在枝晶状织构硅衬底上制备减反射倒金字塔腔体。
研究成果
结合MacEtch与各向异性湿法刻蚀技术，成功在枝晶状织构硅衬底上制备出减反射倒金字塔腔体。经30分钟MacEtch处理和1分钟各向异性湿法刻蚀的样品表现出最低反射率，有望应用于传感器、太阳能电池及储能领域。
研究不足
该研究的局限性包括：随着各向异性刻蚀时间的增加，MacEtch生成的纳米结构会出现消耗问题；此外，需根据具体应用审慎选择刻蚀处理方案。
结合金属辅助化学刻蚀与各向异性湿法刻蚀，在枝晶状织构衬底上制备减反射倒金字塔腔体
DOI：10.1016/j.rinp.2018.11.051
期刊：Results in Physics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
采用金属辅助化学刻蚀（MacEtch）与各向异性湿法刻蚀相结合的简易低成本方法，在枝晶状织构硅衬底上制备了减反射倒金字塔腔体。具体而言，先在n型(100)硅衬底上沉积薄银膜形成团聚银颗粒，通过MacEtch在硅衬底上获得垂直排列的刻蚀孔洞；随后进行各向异性湿法刻蚀，刻蚀液会渗透多孔结构，在枝晶状结构上形成倒金字塔腔体。这种两步刻蚀工艺使织构化衬底获得了优异的减反射性能。
作者：
Yu-Keng Lin，Yen-Shin Chen，Chun-Hway Hsueh
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