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温度对具有非抛物线色散律的半导体中纵向磁阻振荡的影响

DOI：10.1007/s12648-018-1331-0 期刊：Indian Journal of Physics 出版年份：2018 更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要： 在不同温度下，针对非二次色散律情况获得了量子化磁场中的态密度。研究了非二次色散律条件下量子化磁场中态密度随温度的变化关系。低温下连续的态密度能谱转变为离散的朗道能级。通过考虑朗道能级的热展宽，构建了具有非抛物线色散律半导体中舒布尼科夫-德哈斯振荡温度依赖性的理论。根据舒布尼科夫-德哈斯数据确定了电子的回旋有效质量。将理论结果与Bi1.99Tl0.01Se3的实验数据进行了对比。
作者： G Gulyamov，U I Erkaboev，A G Gulyamov
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研究概述 实验方案

研究目的

研究具有非抛物线色散律的半导体中纵向磁阻振荡的温度依赖性，并探讨样品温度对实验数据处理结果的影响。

研究成果

该研究成功开发了一种在具有非抛物线色散律的量子化磁场中测定能态密度的方法。它展示了舒布尼科夫-德哈斯振荡的温度依赖性，并提出了一种测定电子回旋有效质量的新方法。理论结果与Bi1.99Tl0.01Se3的实验数据高度吻合。

研究不足

该研究聚焦于具有非抛物线色散规律的半导体，可能无法直接适用于具有不同色散特性的材料。实验验证仅限于Bi1.99Tl0.01Se3，对其他材料的适用性尚需进一步研究。

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