研究目的
研究钯异常扩散进入锗（Ge）的现象及其机理，包括钯原子在锗中的电学影响以及类欧姆肖特基结的形成。
研究成果
研究表明，在钯锗合金形成过程中，过量锗原子会引发钯异常扩散至锗中。这种扩散导致在n型和p型锗上均形成类欧姆肖特基结。第一性原理计算和TCAD模拟揭示，锗中的钯原子会诱导带隙中部的体陷阱态，从而显著增加陷阱辅助隧穿电流。
研究不足
该研究聚焦于异常钯扩散发生的具体条件，其发现可能无法推广至所有情况。大量钯原子在体相中的作用及扩散的确切机制仍需进一步探究。
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过量间隙锗诱导的异常钯扩散首次实验验证及机理研究
DOI：10.1109/LED.2018.2871714
期刊：IEEE Electron Device Letters
出版年份：2018
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
这封信首次直接通过实验展示了钯异常扩散进入锗（Ge）的现象并提出了相关机制。我们的实验表明，在钯锗合金形成过程中过量的锗原子会间接引发大量钯原子的异常外扩散进入锗中。结果导致n型和p型锗上的钯锗合金都形成了类欧姆的肖特基结。为验证这一现象，我们采用第一性原理计算和计算机辅助设计技术模拟来评估锗中钯原子的电学影响。研究发现，锗中活化的钯原子会诱导产生大量位于禁带中部的体陷阱态，从而导致钯锗/锗结界面处陷阱辅助隧穿电流急剧增加。
作者：
Chen-Han Chou，An-Shih Shih，Shao-Cheng Yu，Yu-Hsi Lin，Yi-He Tsai，Chiung-Yuan Lin，Wen-Kuan Yeh，Chao-Hsin Chien
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