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一种简单而稳健的降低有机晶体管接触电阻的方法

DOI:10.1038/s41467-018-07388-3 期刊:Nature Communications 出版年份:2018 更新时间:2025-09-10 09:29:36
摘要: 从接触电极向半导体层高效注入载流子对实现高性能有机器件至关重要。这一过程所需的电位降会产生与接触相关的电阻,即接触电阻。较大的接触电阻会限制器件运行,甚至导致器件参数提取出现偏差。我们在此展示了一种简单高效的策略:通过在注入电极表面构建高功函数区域来促进增强注入通道,从而将有机薄膜晶体管的接触电阻降低一个数量级以上。研究发现该方法对有机小分子和聚合物半导体均有效,在此方法下我们实现了低至200 Ωcm的接触电阻和高达20 cm2V?1s?1的器件载流子迁移率,且与外加栅极电压无关。
作者: Zachary A. Lamport,Katrina J. Barth,Hyunsu Lee,Eliot Gann,Sebastian Engmann,Hu Chen,Martin Guthold,Iain McCulloch,John E. Anthony,Oana D. Jurchescu
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研究概述 实验方案 设备清单

研究一种简单高效的策略以降低有机薄膜晶体管中的接触电阻,从而提升器件性能。

研究表明,优化接触沉积速率能显著降低接触电阻并提升有机晶体管器件性能。该方法对小分子和聚合物半导体均有效,可实现高迁移率和低接触电阻。研究结果表明,精细控制接触制备工艺对高性能有机电子器件至关重要。

该研究聚焦于底接触、顶栅极器件架构,可能并不直接适用于其他构型。该方法在更广泛的有机半导体范围内及不同环境条件下的有效性尚未得到探究。

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