研究目的
研究Ta/[C/BaTiO3/C]/Si器件在黑暗环境和不同功率密度白光照射下的电阻开关(RS)行为，以探索其在光控非易失性存储器中的潜在应用。
研究成果
Ta/[C/BaTiO3/C]/Si器件表现出显著的双极电阻开关效应，在白光照射下增强，具有高关态/开态比和良好的耐久性。碳膜的引入改善了电阻开关效应，表明其在光控非易失性存储器应用方面具有潜力。
研究不足
该研究聚焦于白光照射对RS行为的影响，但其潜在机制（尤其是碳膜的作用）仍需深入探究。该器件在实际应用中的稳定性和可扩展性亦有待解决。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用磁控溅射法制备Ta/[C/BaTiO3/C]/Si器件，并探究其在不同条件下的电阻开关行为。
2：样品选择与数据来源：
使用N型导电硅衬底，材料通过商业渠道获取。
3：实验设备与材料清单：
磁控溅射系统、BaTiO3和碳靶材（纯度高于99.99%）、普通白炽灯作为光源、用于测量白光强度的辐射计。
4：99%）、普通白炽灯作为光源、用于测量白光强度的辐射计。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：在硅衬底上沉积多层薄膜，在黑暗和光照条件下测量I-V特性，分析电阻开关行为。
5：数据分析方法：
分析I-V曲线，采用经典陷阱控制的载流子限制电流（SCLC）模型拟合结果。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
magnetron sputtering system
Deposition of multilayer films on substrates
-
BaTiO3 target
Source material for BaTiO3 layer deposition
-
carbon target
Source material for carbon layer deposition
-
incandescent lamp
Light source for illumination experiments
-
radiometer
Measurement of white-light intensity
-
登录查看剩余3件设备及参数对照表
查看全部
