研究目的
研究Bi0.93Sb0.07/PMN-0.29PT(111)异质结构中电场可控的非易失性多级电阻开关效应。
研究成果
研究表明，通过铁电极化可原位调控Bi0.93Sb0.07薄膜的电阻，实现多个可区分、可逆且非易失的残余铁弹应变状态。这为设计非易失存储器应用的原型器件提供了一种简单且节能的方法。
研究不足
该研究仅限于特定的Bi0.93Sb0.07/PMN-0.29PT(111)异质结构，所观察到的效应若未经进一步研究，可能无法直接适用于其他材料体系。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过制备Bi0.93Sb0.07/PMN-0.29PT(111)异质结构，探究其基于铁电极化的可逆非易失性电阻开关特性。
2：93Sb07/PMN-29PT(111)异质结构，探究其基于铁电极化的可逆非易失性电阻开关特性。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：采用脉冲激光沉积法在单面抛光的(111)取向PMN-0.29PT单晶衬底上生长Bi0.93Sb0.07薄膜。
3：29PT单晶衬底上生长Bi93Sb07薄膜。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：配备Cu Kα1辐射的高分辨率PANalytical X’Pert PRO X射线衍射仪、蔡司Supra 55场发射扫描电子显微镜（SEM）、物理性能测量系统（PPMS-9，Quantum Design）。
4：实验流程与操作步骤：
分别通过标准四探针法和范德堡法测量Bi0.93Sb0.07薄膜的电阻率和电子载流子浓度；利用环氧树脂粘贴在PMN-0.29PT表面的应变片测量电场诱导的面内应变。
5：93Sb07薄膜的电阻率和电子载流子浓度；利用环氧树脂粘贴在PMN-29PT表面的应变片测量电场诱导的面内应变。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：通过测量Bi0.93Sb0.07薄膜的相对电阻变化率（ΔR/R）及PMN-0.29PT衬底面内应变随沿衬底厚度方向施加电场E的变化关系进行实验数据分析。
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PANalytical X’Pert PRO x-ray diffractometer
X’Pert PRO
PANalytical
Examining the crystallographic properties of the films
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Zeiss Supra 55 field emission scanning electron microscope
Supra 55
Zeiss
Measuring the thicknesses of the films
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physical property measurement system
PPMS-9
Quantum Design
Measuring the resistivity and electron carrier density of the Bi0.93Sb0.07 films
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